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IS61QDP2B21M36A 333M3L 型号: IS61QDP2B21M36A 333M3L
品牌: ISSI(美国芯成)
封装: LFBGA-165(15x17)
批号: IS61QDP2B21M36A-333M3L
数量: 146277

IS61QDP2B21M36A 333M3L
属性参数值商品目录静态随机存取存储器(SRAM)安装类型表面贴装型技术SRAM-Synchronous,QUADP存储器格式SRAM时钟频率333MHz存储容量36Mb(1Mx36)访问时间8.4ns封装/外壳165-LBGA工作温度0°C~70°C(TA)供应商器件封装165-LFBGA(15x17)写周期时间-字,页-存储器类型易失存储器接口并联电压-供电1.71V~1.89V
属性 参数值
商品目录 静态随机存取存储器(SRAM)
安装类型表面贴装型
技术SRAM - Synchronous, QUADP
存储器格式SRAM
时钟频率333MHz
存储容量36Mb(1M x 36)
访问时间8.4ns
封装/外壳165-LBGA
工作温度0°C ~ 70°C(TA)
供应商器件封装165-LFBGA(15x17)
写周期时间-字,页-
存储器类型易失
存储器接口并联
电压-供电1.71V ~ 1.89V

Tag: IS61QDP2B21M36A-333M3L IS61QDP2B21M36A-333M3L中文资料 IS61QDP2B21M36A-333M3L数据手册